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Document Number: 81147
2
Rev. 1.0, 17-Aug-09
TCST2103, TCST2202, TCST2300
Vishay Semiconductors
Transmissive Optical Sensor with
Phototransistor Output
 
Note
(1)
T
amb
 = 25 癈, unless otherwise specified
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Fig. 1 - Power Dissipation Limit vs. Ambient Temperature
INPUT (EMITTER)
Reverse voltage
V
R
6
V
Forward current
I
F
60
mA
Forward surge current
t
p
 d 10 祍
I
FSM
3
A
Power dissipation
T
amb
 d 25 癈
P
V
100
mW
Junction temperature
T
j
100
癈
OUTPUT (DETECTOR)
Collector emitter voltage
V
CEO
70
V
Emitter collector voltage
V
ECO
7
V
Collector peak current
t
p
/T = 0.5, t
p
 d 10 ms
I
CM
200
mA
Power dissipation
T
amb
 d 25 癈
P
V
150
mW
Junction temperature
T
j
100
癈
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(1)
PARAMETER
TEST CONDITION
SYMBOL
VALUE
UNIT
0
0
100
200
300
400
95 11088
T
amb
- Ambient Tem erature 癈
Coupled device
Phototransistor
IR-diode
150
120
90
60
30
BASIC CHARACTERISTICS
(1)
PARAMETER
TEST CONDITION
PART   SYMBOL   MIN.    TYP.    MAX.   UNIT
COUPLER
Current transfer ratio
V
CE
 = 5 V, I
F
 = 20 mA
TCST2103   CTR    10
20
%
TCST2202   CTR
5
10
%
TCST2300   CTR    1.25    2.5
%
Collector current
V
CE
 = 5 V, I
F
 = 20 mA
TCST2103    I
C
2
4
mA
TCST2202    I
C
1
2
mA
TCST2300    I
C
0.25    0.5
mA
Collector emitter saturation
voltage
I
F
 = 20 mA, I
C
 = 1 mA   TCST2103   V
CEsat
0.4
V
I
F
 = 20 mA, I
C
 = 0.5 mA   TCST2202   V
CEsat
0.4
V
I
F
 = 20 mA, I
C
 = 0.1 mA   TCST2300   V
CEsat
0.4
V
Resolution, path of the shutter
crossing the radiant sensitive
zone
I
Crel
 = 10 % to 90 %
TCST2103    s
0.6
mm
TCST2202    s
0.4
mm
TCST2300    s
0.2
mm
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